TOF-SIMS是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。

　　灵敏度高。能够对样品表面分子进行分析，具有极高的灵敏度。某些元素（如碳、氢、氧、氮等）的检测限可达到PPB或更低；分辨率高。SIMS技术能够对分子和离子进行高分辨率、高精度的检测，能够对不同分子的相对分子质量进行精确测定，有助于深入了解分子中的化学键数和化学组成。

　　可以根据分子不同的性质和化学成分，在相同实验条件下对其进行选择性分离和定量分析。这种选择性分析仅需用到微量样品，有利于化学反应机理和分子结构的探究。SIMS技术可以将样品表面的二次离子信号以像素形式记录下来，在样品表面生成具有化学结构信息的“分子图像”，因此SIMS也被称为分子成像质谱技术。是一种非常重要的分析技术，其应用领域非常广泛。

　　适用不单是元素，还能分析原子团、官能团、分子信息，而适用于有机物的分析，主要用于半导体行业，但也逐渐扩展到材料、化学、生物医药、地质矿物等各个领域，为多领域的研究提供了有力的支持，按照扫描方式以及离子束种类，SIMS技术可以分静态SIMS（SSIMS）和动态SIMS（DSIMS）两种。

　　可以根据参考分析的方法有：

　　ASTM E1078-2009表面分析中试样制备和安装程序的标准指南

　　ASTM E1504-2011次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范

　　ASTM E1829-2009 先于表面分析的样品处置标准指南

　　可用于鉴别金属、玻璃、陶瓷、薄膜或粉末表面上的无机物层或有机物层，氧化物表层、腐蚀膜、沥滤层和扩散层沿深度的浓度分布，经扩散或离子注入到半导体材料中的微量掺杂剂(≤1000ppm)沿深度的浓度分布，矿物质、多相陶瓷和金属中的相分布等。

　　微源检测实验室提供德国ION-TOF的先进TOF-SIMS仪器检测服务，可以为客户提供完善的SIMS技术解决方案。能够对于各行业样品以ppm或更低的检测灵敏度出色地检测掺杂剂和杂质深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率，检测所有元素和同位素，包括氢元素，可以根据客户样品的分析需求并优化分析，有效地解决他们的检测过程中存在的顾虑。

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